电子学院项目之一
成果名称：全氧化物CMOS器件的集成和研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：与单一极性沟道TFT电路相比，大尺寸显示驱动电路更需要互补TFT集成器件。CMOS是电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。CMOS反相器由一个P型晶体管和一个N型晶体管串联组成。通常P型TFT作为负载管，N型TFT作为输入管，这种结构可以大幅降低功耗。
成果转化方式和要求：通过优化材料组分和器件长宽比，得到性能相互匹配的N型和P型TFT；将N型和P型TFT集成，得到具有高电压增益和短动态响应时间的CMOS反相器；通过集成多个反相器制作出多阶环形振荡器。
可解决的问题及产生的社会效益：(1)静态功耗极低。在稳定状态时，总有一个TFT是处于截止状态，流过的漏电流是极小的；(2) 抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5 VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强；(3) 电源利用率高。VoutH = VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围；(4) 输入阻抗高，负载能力强。将高性能的P型氧化物TFT作为负载管，N型氧化物TFT作为输入管，制备高性能的全氧化物CMOS器件。通过调制两种类型的TFT的性能参数，提高性能兼容性，得到具有高电压增益和短动态响应时间的CMOS反相器。我们还将着眼于P型氧化物器件在复杂逻辑电路中的应用，通过集成多个反相器制作出多阶环形振荡器，使环形振荡器在较低工作电压下呈现良好的动态特性和频率输出特性。
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电子学院项目之二
成果名称：Micro-LED阵列的制备和研究
所属单位:电子信息学院
成果简介：近几年，行业重点聚焦了未来显示领域OLED的发展，其就有主动发光、无眩光、低蓝害、光谱接近自然光等优点。但是OLED的商业化也遇到了几个关键挑战：(1) 价格昂贵，蒸镀制程良率难以提高，材料利用率低于10%，导致OLED面板价格居高不下；(2) 蓝色磷光仍缺乏稳定而高效的材料；(3) 光萃取效率（LEE）差，一般OLED平面结构的LEE约在20-25%。近期，Micro-LED技术发展起来，吸引了国内外研究人员的关注。Micro-LED是LED显示应用的再进化，做出尺寸和pitch接在micro等级的超小型LED，经过基板转移和色彩转换，做到pixel level control的自发光显示，换句话说，就是“超级小间距”、“无封装”、“消费电子应用”版的LED显示屏。
成果转化方式和要求：通过优化器件结构、增大沟道长度，得到具有mA级别输出电流的TFT；将TFF与LED集成，制备Micro-LED原型器件；制备Micro-LED阵列。
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电子学院项目之三
成果名称 ：低温高性能氧化物薄膜晶体管的制备和研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：在显示技术的发展过程中，非晶硅（a-Si:H）薄膜晶体管（TFT）的使用实现了显示技术从真空到平板的转型，从传统的非晶硅TFT到多晶硅（p-Si）TFT，从高温的多晶硅TFT到低温的多晶硅TFT再到金属氧化物（Metal oxide）TFT，制备技术越来越成熟，从产品开发上看已经覆盖了相机、手机、笔记本电脑、电脑显示器和电视等领域。在如今的平板显示市场中，绝大多数都是有源矩阵液晶显示器（Active Matrix Liquid Crystal Display, AMLCD），TFT在AMLCD扮演开关控制单元的角色。目前平板显示依然主要采用技术相对成熟的硅基TFT，但硅基材料的禁带宽度只有1.12-1.38eV，是典型的光敏半导体，作为显示器件的控制单元有许多无法克服的缺点。如，非晶硅迁移率较低，响应速度慢，对可见光敏感；多晶硅载流子的迁移率虽然比非晶硅高出2-3个数量级，但又存在大面积制备难、均一性差等技术瓶颈。另外，由于硅基TFT开态电阻大，驱动能力有限，该技术指标无法满足新型的有源矩阵驱动有机发光二极管显示器(AMOLED)。此外，尽管有机薄膜晶体管凭借简单的制备工艺、柔性特征、较低的制备温度等优点吸引了人们极大的关注，但由于其材料迁移率低、环境稳定性差，难以克服低迁移率、低寿命等缺点，离产业化还有相当的距离。因此，寻找新型的对可见光不敏感、迁移率高、环境稳定性好的TFT材料成为平板显示器技术发展的重大研究方向。
成果转让和要求：制备具有低漏电流、大单位面积电容的高k介电层；研究第三组元掺杂对介电层性能的影响；将介电层和半导体层集成，实现全溶液制备氧化物薄膜晶体管；通过优化器件结构、改善界面状况，提高器件性能。
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电子学院项目之四
成果名称：高性能P沟道氧化物薄膜晶体管的制备和研究
所属单位：电子信息学院
成果简介:以InGaZnO为代表的N型氧化物TFT已经实用化。然而，由于缺乏具有高的迁移率、性能稳定和易于制备的P型氧化物，P型氧化物TFT的发展受到严重制约。相比于N型TFT，P型TFT在显示技术领域具有更明显的优势，即为OLED阳极提供空穴电流时不会影响漏极电流，能实现更高质量的显示应用。此外P型氧化物TFT也是互补金属氧化物半导体（CMOS）的必需组成部分。与单一极性沟道TFT电路相比，大尺寸显示驱动电路更需要互补TFT集成器件。目前，对P型氧化物材料的研究主要集中在ZnO的P型掺杂方面，但实现起来非常困难，而且将其久置在空气中还会发生P型到N型的转变。然而目前对于本征P型氧化物TFT的研究仍然处于初级阶段，截至目前，本证P型氧化物TFT材料屈指可数，只有SnO、Cu2O、CuO、NiO等少数几种材料，且性能远远达不到N型氧化物TFT的水平。P型氧化物TFT在AMLCD和AMOLED中的应用是显示技术领域又一待攻破的高地。然而，国内目前对于P型氧化物材料的研究相对较少，科研成果尚停留在初步探索阶段，距离国际科研水平仍有一定距离。因此，目前氧化物TFT发展的当务之急是研究发展与N型氧化物TFT性能相匹配的P型氧化物半导体材料。
成果转让方式和要求：制备具有低漏电流、大单位面积电容的高k介电层；研究第三组元掺杂对介电层性能的影响；2017年1月—2017年12月将介电层和半导体层成，实现全溶液制备氧化物薄膜晶体管；通过优化器件结构、改善界面状况，提高器件性能。
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电子学院项目之五
成果名称：Bi4LaFeTi3O15系材料的制备及其多铁性能研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：由于多铁材料同时具有磁性和铁电性，且两者之间存在耦合，可以实现电-磁互控，所以在自旋电子学、传感器和存储等方面有着广阔的前景。近年来，含磁性离子基团的铋系层状材料受到越来越多的关注，然而该体系的磁序来源和磁电耦合机制等问题目前尚未明确。由于单晶有助于探讨新材料的空间结构和磁电机制，取向薄膜有利于实现器件的高密度和低功耗的信息处理，所以本项目拟生长Bi4LaTi3FeO15单晶和取向薄膜。通过使用透射电镜观察磁性八面体集团的位置，使用第一性原理和蒙特卡罗对磁序和磁电耦合进行计算和模拟，分析铁电、磁性、微观结构等实验数据以对该体系中的磁序来源和磁电耦合机制等问题给出合理的解释。最后，通过优化生长工艺，掺杂，以及气氛处理等手段提高该体系材料的多铁性能。
城果转让方式和要求：在优化材料制备的基础之上，观察铁氧八面体的占位，畴结构，以及铁电畴与磁畴之间的耦合关系，分析材料中的机磁各向异性、磁序来源和磁电耦合机制。此外，使用阻抗分析仪研究其相变和介电驰豫行为，使用铁电测试仪研究铁电畴成核时间、畴开关时间和局域成核激活能等铁电问题。系统总结和分析已有实验结果，针对磁序来源和磁电耦合机制使用第一性原理和蒙特卡罗进行计算和模拟。结合理论分析进一步对实验进行补充（包括改进工艺、掺杂改性和气氛处理等），制备（生长）出具有良好多铁性能的Bi4LaTi3FeO15样品。
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电子学院项目之六
成果名称：Bi4LaTi3FeO15单晶的生长及其多铁性能研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：本项目拟生长Bi4LaTi3FeO15单晶。通过使用透射电镜观察磁性八面体集团的位置，使用第一性原理和蒙特卡罗对磁序和磁电耦合进行计算和模拟，分析铁电、磁性、微观结构等实验数据以对该体系中的磁序来源和磁电耦合机制等问题给出合理的解释。最后，通过优化生长工艺，掺杂，以及气氛处理等手段提高该体系材料的多铁性能。
成果转让方式和要求：首先制备Bi4LaTi3FeO15粉体，然后以Bi2O3为助熔剂（自助熔法）在高温晶体炉上采用自发成核生长出Bi4LaTi3FeO15小单晶，最后以上述自发成核所生长小单晶为耔晶制备大块Bi4LaTi3FeO15单晶。在制备过程中采用正交实验与训练神经网络相结合的办法快速摸索出Bi元素过量百分比、降温速率、生长温度、及保温时间等参数。
系统总结和分析已有实验结果，针对磁序来源和磁电耦合机制使用第一性原理和蒙特卡罗进行计算和模拟。结合理论分析进一步对实验进行补充（包括改进工艺、掺杂改性和气氛处理等），制备（生长）出具有良好多铁性能的Bi4LaTi3FeO15样品。
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电子学院项目之七
成果名称：BTO-nLFCO多铁薄膜的制备及回线动力学标度
所属单位：电子信息学院
成果简介：由于多铁材料同时具有磁性和铁电性，且两者之间存在耦合，可以实现磁-电互控，所以在自旋电子学、传感器和存储等方面有着广阔的前景。近年来，利用不同激发单元(铁电单元和磁性单元）在原子层面上结合，来实现单相室温多铁性已受到广泛的关注，其典型结构是将一层磁性单元插入到三层层状钙钛矿铁电Bi4Ti3O12中，形成新型四层层状钙钛矿多铁材料,然而该体系存在铁电回线质量差、磁性弱和磁电耦合机制不明确等诸多问题。目前申请人和课题组成员已经通过成功在Bi4Ti3O12中插入LaFeO3和LaFe0.5Co0.5O3合成了Bi4Ti3O12-LaFeO3和Bi4Ti3O12-LaFe0.5Co0.5O3两种新型四层层状室温多铁薄膜。
本项目拟在上述背景之下，采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积沿a/b轴（或近a/b轴）取向生长Bi4Ti3O12-nLaFexCo1-xO3（简称BTO-nLFCO）多铁薄膜, 并通过改变工艺、Fe与Co的比例（x）及插层数（n）来提高多铁性能，为单相多铁材料在多铁存储器件应用奠定基础。此外，通过观察BTO-nLFCO薄膜在不同温度下电滞回线(磁滞回线)所围成的面积<A>随电场幅值E0（磁场幅值H0）和电场频率f（磁场频率Ω）的变化来了解电畴和磁畴中新畴成核和长大的过程，预测实验中很难测量的多铁材料在较高频率下的工作状态，研究电畴和磁畴翻转的动力学行为，探讨磁电耦合机制。
成果转让方式和要求：研究升温速率和对BTO-nLFCO多铁薄膜择优取向生长的影响规律；研究外加电场诱导BTO-nLFCO多铁薄膜中晶粒取向成核的作用规律；系统研究Fe与Co的比例（x）和插层数（n）对上述微观结构和性能的影响；总结全部研究工作，深入分析研究过程中出现的新内容和新思路。
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电子学院项目之八
成果名称：剪切干涉中的波前重建新方法
所属单位：电子信息学院
项目负责人：郭老师
成果简介：横向剪切干涉是使待测光波和自身复制光波之间产生干涉的一种干涉测量技术。利用差分相位重建波前相位是实现精确、快速测量的关键环节，本项目旨在研究几种二维波前重建方法以恢复光的波前相位。第一种为插值抽样法，第二种为预条件共轭梯度法，第三种为基于最小二乘法的雅可比迭代算法。本项目旨在完善波前重建算法的相关理论，为波前重建精度的提高提供有益的启示。
联系人：郭老师 联系电话15063951980
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电子学院项目之九
成果名称：离子辐照Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的光学特性及应用研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：通过离子辐照材料损伤和缺陷的产生，诱导其结构和性能发生变化，在半导体器件和集成光电子学领域具有重要的应用价值。硫化锌（ZnS）和硒化锌（ZnSe）等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料具有离子键成分比较大，禁带宽度变化范围大以及直接跃迁的能带结构等优点，在红外、固体发光、激光和压电效应等器件方面有广泛的应用。本项目旨在采用离子辐照技术掺杂Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，结合已有的研究成果和经验，研究离子辐照ZnS和ZnSe等半导体材料的损伤和缺陷对其光吸收和光传输性能的影响。本项目的研究不仅为离子辐照Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体器件的制备提供了研究基础，还可以拓宽核技术在半导体技术及光学领域的应用。
联系人：刘老师 联系电话：15906394366
电子邮箱：liutphy@163.com
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邮政编码：266071
电子学院项目之十
成果名称：载能离子束调控ZnS和ZnSe晶体的光学特性研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：离子辐照半导体材料可形成损伤调控带隙结构进而优化材料的性能，同时通过损伤、缺陷机制诱导晶体特定区域的折射率发生变化形成波导结构。硫化锌（ZnS）和硒化锌（ZnSe）晶体为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有离子键成分比较大，禁带宽度变化范围大以及直接跃迁的能带结构等优点，在红外、固体发光、激光和压电效应等器件方面有广泛的应用。利用载能离子束辐照ZnS和ZnSe晶体，通过离子辐照晶体表面产生损伤和缺陷，诱导其结构和性能发生变化，进而研究对其光吸收和光传输性能的影响。本项目的研究不仅为离子辐照Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体器件的制备提供了研究基础，还可以拓宽核技术在半导体技术及光学领域的应用，产生可观的经济和社会效益。
成果转让方式和要求：分析载能离子辐照ZnS和ZnSe的晶格损伤，归纳离子辐照条件与光学特性之间的关系。优化离子辐照条件，在ZnS和ZnSe晶体上制备出损耗小、光传输性能优良的平面和条形波导结构。载能能量离子辐照ZnS和ZnSe晶体制备波导结构，获取最佳辐照条件。
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电子学院项目之十一
成果名称：类石墨烯TMDS的离子辐照损伤效应
所属单位：电子信息学院
成果简介：具有单层结构的MoS2晶体材料在纳电子学和光电子学领域具有重要的应用价值。目前，将MoS2材料的间接带隙转变为单层结构的直接带隙这方面工作仍停留于实验室阶段，距离其大规模工业应用仍有一定距离。离子辐照是改变材料结构和引进材料性质变化的有效调控方式。本项目拟采用不同条件的离子辐照MoS2晶体表面，在辐照层引入缺陷和损伤来调控带隙和晶体结构，从理论上探讨离子与MoS2晶体相互作用机理，实验上采用不同辐照条件实现带隙和晶体结构的改变，通过优化辐照条件，探讨离子辐照条件与MoS2晶体损伤效应的关系，进而为TMDS材料结构和性质转变提供新思路，开拓离子与固体相互作用的研究领域。
成果转让方式和要求：
优化离子辐照样品性能表征与辐照条件
完成离子辐照条件设计与离子辐照实验
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电子学院项目之十二
所属单位：磷化铟纳米线的形貌与微观结构缺陷对其光伏性能影响机制的研究
完成单位：电子信息学院
成果简介：本项目拟采用固相源化学气相沉积工艺，通过详细考察不同合成条件对磷化铟纳米线的形貌和微观结构的影响，来制备具有优良光电特性的磷化铟纳米线。同时，通过系统研究磷化铟纳米线的直径、表面形态以及面缺陷与其电学、光电特性之间的构效关系，揭示磷化铟纳米线光伏特性的内在影响机制。该研究的实施将为高效、低成本磷化铟纳米线太阳能电池的设计、制备和应用提供坚实可靠的研究思路和科学理论依据。
成果转让方式和要求：优化固相源化学气相沉积技术的工艺参数，在非晶氧化硅基底上合成形貌可控的磷化铟纳米线，并得到纳米线的直径对催化剂颗粒的依赖关系。利用荧光光谱仪研究磷化铟纳米线的形貌和面缺陷对其发光性能的影响；利用原位电学性能测试样品台，结合HRTEM研究单根磷化铟纳米线的形貌及面缺陷对其电学性能的影响；制备单根磷化铟纳米线场效应晶体管，并研究纳米线的直径、表面形态和面缺陷对其电子学性能的影响。基于不同形貌、不同面缺陷密度的磷化铟纳米线制备金属-绝缘体-半导体型光伏器件，并研究其光伏性能，获得纳米线的直径、表面形态及面缺陷对其光伏性能的影响机制
联系人：王老师 联系电话：18661935008
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电子学院项目之十三
成果名称：III-V族半导体纳米线的可控制备及其在高效柔性太阳能电池中的应用研究
所属单位：电子信息学院
运用行业：半导体行业
成果简介：针对制备大面积、高性能、低成本、柔性太阳能电池这一热点问题，本项目拟从降低材料合成成本、提高光电转化效率、简化电池制备工艺入手，采用系列晶体学、光电学表征手段，通过“自下而上”的方法，（1）通过优化固相源化学气相沉积技术的工艺参数，以金纳米颗粒为催化剂，非晶氧化硅为基底制备形貌、晶体结构及性能可控的III-V族（砷化镓、磷化铟等）半导体纳米线；（2）研究所制备纳米线的形貌、晶体结构、吸光/发光性能以评价单根纳米线光电特性；（3）采用新颖的纳米线阵列制备技术-接触印刷法在柔性聚酰亚胺薄膜上印刷大面积、高密度、排列均匀的III-V族纳米线阵列；（4）通过研究III-V族纳米线与不同金属电极的接触特征，优化金属-绝缘体-半导体太阳能电池的结构，最终得到高效率、柔性肖特基型太阳能电池。本项目得到的系列研究成果预期可为将来新型高效、低成本、柔性太阳能电池的制造技术提供一定的理论支持，也为其大面积应用奠定技术基础。
成果转让方式和要求：制备形貌及晶体结构可控的单晶III-V族纳米线；研究单根纳米线的光电特性。接触印刷技术在聚酰亚胺基底上组装纳米线阵列。优化单根纳米线肖特基结光伏器件，为后续柔性太阳能电池的设计提供依据（最优的纳米线和最佳电池结构）以达到最高的太阳能转化效率
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电子学院项目之十四
成果名称：用于光缓存的慢光动态控制
所属单位：电子信息学院
成果简介：光子晶体慢光由于可以方便地实现光集成、慢光的室温运行、以及灵活的可控性，越来越多地受到人们关注，光子晶体慢光可用于全光缓存、光延迟线、光调制器、光开关、传感器以及加强光与物质相互作用方面的全光网络的关键部件和全光信息处理中具有重要的应用。但是，缓存信息的写入和读出，以及光开关等功能器件的动态控制是一个亟待解决的问题。目前本项目组通过结构设计、材料填充等方法实现宽带低色散慢光。
本项目拟在上述背景之下，采用电光材料，柔性的有机聚合物引入光子晶体慢光结构，通过外部电压控制，来改变填充聚合物的光学特性，从而改变传输的慢光特性，实现功能器件的动态控制。首先，通过光子晶体慢光波导结构设计，介质板打孔或者介质棒在空气中周期排列、在波导中引入缝隙等，获得基本的器件结构；其次，通过慢光特性仿真计算、在合适的位置填充具有电光特性的有机聚合物，根据结构尺寸、电光系数变化，设计填充方法和材料；第三，在慢光波导结构两侧加入电极、引入外电场，实现动态控制；第四、完成实验测试；第五，根据测试结果进行结构、和材料填充的改进，改善动态性能。
成果转让方式和要求：完成慢光波导结构的设计，并取得结构变化对慢光特性的影响规律；研究具有电光性能的柔性有机聚合物在慢光波导中与光场的相互作用；通过材料选取、结构调整并仿真分析获取合适的调整慢光结构；在波导两侧加入电极、引入外电场，实现慢光的动态控制，对慢光动态结构进行实验测试、并根据测试结果进行结构、材料、填充方式的调整。
联系人：李老师 联系电话：15621008205
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电子学院项目之十五
成果名称：光子晶体光纤在微波光子滤波器中的应用研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：光子晶体光纤（PCF）具有结构设计灵活、无截止单模传输、高双折射、高非线性、色散可调及大模面积等特点，在超短脉冲、光纤传感、光纤激光器和滤波器等领域有重要的应用。本项目拟将高双折射光子晶体光纤引入微波光子滤波器的多波长光源中。将填充后的高双折射光子晶体光纤（HB-PCF）用于多波长光纤激光器中，可实现激光器输出波长位置和波长间隔的连续可调；应用于Sagnac环中制成高双折射光纤环镜，可实现其输出梳状谱的大范围调谐。PCF的这些应用可极大地提高微波光子滤波器中光源可调谐特性，进而实现滤波器通带中心频率的大范围可调、频率响应函数的重构、旁瓣抑制比的提高，具有重要的研究价值。
成果转让方式和要求：对微波光子滤波系统的整体结构进行理论研究和分析；建立任意抽头系数的多抽头的滤波器数学模型并进行计算机仿真。 研究HB-PCF填充方法和调谐技术，实现HB-PCF双折射的有效调谐。
研究PCFG的设计方法、制作、填充和调谐技术，通过改变温度，实现PCFG的大范围调谐，进而实现滤波器频率响应函数的重构、通带中心频率的调谐。
将填充后的HB-PCF引入多波长光纤激光器，从理论和实验上研究激光器的输出特性，实现输出波长位置和波长间隔的连续可调。然后将上述多波长光纤激光器作为微波光子滤波器的光源，实现滤波器通带中心频率大范围连续可调。将填充后的HB-PCF引入Sagnac环，从理论和实验上研究Sagnac环的调谐特性。级联嵌入HB-PCF的Sagnac环，对宽带光源进行切割，作为微波光子滤波器的多波长光源，实现滤波器通带中心频率的大范围连续可调和高旁瓣抑制比。
联系人：曹老师 联系电话：18561893506
电子邮箱：cynever@163.com
通讯地址：山东省青岛市市南区宁夏路308号
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电子学院项目之十六
成果名称：3D打印公共服务子平台
所属单位：电子信息学院
成果简介：3D打印公共服务子平台是数字家庭科技服务支撑平台的重要组成部分。项目依托“智能数字家电产业技术创新战略联盟”（以下简称“联盟”）试点，针对数字家庭产业科技创新服务对3D打印的迫切需求，通过与数字家庭科技服务信息门户平台集成，实现基于互联网的产品设计创意的交互式需求收集和创意表达，为数字家庭产业集群提供3D产品设计技术咨询、产品设计、3D打印产品制造等方面的科技服务。
项目通过集成联盟的用户资源、设备资源、产品资源、服务资源，实现家电产品研制模式、服务模式与盈利模式的创新。平台与数字家庭科技服务平台实时联动，促进3D打印产业合作方、制造方、供应商、设计师、普通客户之间信息的互联互通，逐步打造3D打印设计创意群体学习、交流、交易、创业各个成长环节的生态体系。
成果转让方式和要求：完成平台的建设方案、软硬件设备方案、功能模块设计、与数字家庭技术服务平台和信息门户平台的接口方案的设计；完成3D打印个性化定制服务技术研究，搭建平台软硬件开发测试环境
完成服务中间件、子平台交互接口组件开发，服务器、3D打印机等硬件设备部署
完成平台创意管理、创意转化、创意交易各功能组件开发，并进行集成测试
联系人：贺老师 联系电话：18653204698
电子邮箱：hey_wang73@163.com
通讯地址：山东省青岛市市南区宁夏路308号
邮政编码： 266071
电子学院项目之十七
成果名称：多小区协作MIMO网络中的联合预编码和资源分配研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：在无线MIMO网络中进行多小区协作干扰管理是抑制小区间干扰，提高系统资源效率以及提高小区边缘用户性能的有效手段，同时也是研究难点之一。本项目针对基于簇的集中式多小区协作和全网络范围的分布式多小区协作，研究以下行链路的联合预编码和资源分配技术。这两种协作模式将是未来多小区协作的发展方向。其研究对象新颖且有一定难度，对算法的设计、分析和求解引入了凸优化理论、近似分析以及比传统博弈论适用更为广泛的VI理论等新颖的数学工具, 具有较高的理论和方法创新性。本项目以建立在未来无线通信网络中可实现的多小区协作干扰管理算法目标。项目研究成果将为未来多网络并存的异构网络提供可行的干扰管理方案。
成果转让方式和要求：设计集中式多小区协作方案，设计簇模型，并研究该模型下的数据传输理论框架，得出信号模型和干扰模型，在此基础上设计相应的联合预编码和资源分配方案。研究分布式多小区协作方案，包括数据共享方案，基于不同的目标建立代价函数，得出相应的联合预编码和资源分配方案。
联系人：江老师 联系电话：13964843170
电子邮箱：kathy.jiang@163.com
通讯地址：山东省青岛市市南区宁夏路308号
邮政编码：266071
电子学院项目之十八
成果名称：微带缝隙天线的小型化与宽带化技术及其在超宽带通信与移动通信终端的应用
所属单位：电子信息学院
成果简介：UWB终端和移动通信终端都要求天线小型化和宽带化，微带缝隙天线在这两个领域中应用有一些共同的规律和相似的技术可以相互借鉴和利用。本课题主要研究内容是：（1）研究UWB终端天线设计与移动通信终端天线的设计方法，提出将两个应用领域的天线设计技术相互融合共同创新的发明新方法。利用二者的共性，借鉴UWB天线技术来对移动通信终端天线进行创新发明，再利用二者的差异将发明成果应用在UWB领域，扩大创新成果的应用范围。（2）研究降低（或提高）微带缝隙天线的谐振频率技术、天线的宽带匹配技术，提出适合于UWB以及移动通信终端两个应用领域的天线小型化与宽带化新技术，给出新型天线结构，设计新型手机天线和UWB天线，解决小型宽带微带缝隙天线设计的技术问题。（3）研究微带缝隙天线的辐射原理，建立天线的宽带匹配理论，为此类型天线设计提供简单、有效、快捷的理论与技术指导。
成果转让方式和要求：总结设计经验，完善辐射理论，收集成果，撰写结题报告
将新型手机天线结构应用到UWB终端，设计新型UWB天线。研究矩形缝隙天线的辐射原理，提出天线的宽带匹配理论和新型天线结构利用矩形缝隙宽带匹配理论，对目前已有的手机缝隙天线进行改进设计。在明确缝隙天线辐射原理的基础上，提出新型天线结构，设计新型手机与UWB天线设计矩形与圆形组合的混合结构手机缝隙天线，提出新型天线结构。
其他重要说明：
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电子学院项目之十九
成果名称：青岛大学电子信息学院与山东依鲁光电科技有限公司共建产学研基地
所属单位：电子信息学院
成果简介：与山东依鲁光电科技有限公司共建产学研基地，提升学生实习实践能力及就业竞争力，帮助大学生创新创业，促进企业研发。
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电子学院项目之二十
成果名称：基于北斗卫星通信及短波频段的远海救援定位通信系统研究
所属单位：电子信息学院
成果简介：当远海舰船遇险时，需要快速建立救援舰船与遇险船员的通信联络，以便在有效的时间解救遇险船员。目前海上定位系统大部分使用GPS卫星通信的方法进行定位。这种定位精度有限，同时不利信息的保密。本项目首先采用北斗卫星通信对遇险船员进行粗定位（出海的船员身上佩戴定位设备），然后通过短波通信技术，直接建立救援船与遇险船员之间的无线通信，使救援船快速向遇险方向行驶，解救遇险船员。
当远海人员遇险时，需要快速定位遇险人员的位置，才能实施救援。海洋面动辄就是方圆上百海里搜救范围(1海里≈1.853公里)，给搜救带来的难度非常大，几十米和百米长的失事舰船或者飞机在海上就如在一个脸盆的一粒沙，极难实施搜索。所以起航的舰船及海员身上随时要佩戴定位设备，以防止遇险时难以被发现。救援的舰船也要配装定位及无线通信设备，确保与遇险船员的通信联络，使救援船快速向遇险方向行驶，解救遇险船员。
联系人：王老师、宗老师
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